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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5793 个

  • KNG/KNY/KND/KNB3403C 30V 80A MOSFET 国产替代

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    :KIA 3403C 系列 30V/80A MOSFET,Rds (on) 低至 4.3mΩ,适配快充 / 电池保护 / 电机驱动,直接替代 IRL3803,交期稳、成本优。

    www.kiaic.com/article/detail/6412.html         2026-06-15

  • KCD3008C 120A 85V TO-252 MOS管|解决电源发热缺货难题

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    大功率储能、锂电池BMS设备发热炸管?进口MOS长期缺货交期久?选可易亚KCD3008C TO-252封装MOSFET!85V耐压120A连续电流,SGT工艺Rds(on)仅4.7mΩ,大幅降低整机温升;出厂100%UIS、ΔVds可靠性全检,306mJ高雪崩能量耐负载冲击;标准TO-252引脚通用,直接替代...

    www.kiaic.com/article/detail/6474.html         2026-06-15

  • KCY3008C 120A 85V MOSFET | 解决大功率电源发热难题

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    大功率电源、BMS设备发热严重?进口MOSFET缺货交期长?选可易亚KCY3008C!120A/85V/DFN5*6封装,采用先进SGT工艺,RDS(on)仅4.2mΩ,大幅降低温升;通过UIS/ΔVDS全检,雪崩能量625mJ,抗冲击能力强;完全兼容进口同规格型号,无需改板直接替代,储能、工业电源...

    www.kiaic.com/article/detail/6473.html         2026-06-15

  • KNY3080B 80A 30V MOSFET DFN5*6 快充同步整流专用

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    快充电源发热严重?PCB空间不够?选KNY3080B 80A 30V DFN5*6 MOSFET!4.1mΩ超低导通电阻,降低温升提升效率;32nC低栅极电荷,适配高频开关场景;完全兼容进口同规格型号,无需改板直接替代,解决进口缺货交期问题,快充同步整流、BMS、UPS场景专用。

    www.kiaic.com/article/detail/6472.html         2026-06-15

  • KND3203C 30V/100A TO-252 N 沟道 MOSFET | 低内阻功率管

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    KND3203C 是 KIA 品牌推出的 TO-252 封装 N 沟道 MOSFET,额定 30V/100A,典型 Rds (on) 低至 3.2mΩ,采用先进沟槽工艺,开关性能优异,适配电机驱动、电池管理、UPS 电源等场景,可直接替代同规格竞品,货源稳定。

    www.kiaic.com/article/detail/6468.html         2026-06-11

  • KNY3903A 30V85A DFN5×6 N 沟道 MOSFET | 低内阻电源管替代方案

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    KNY3903A 是 KIA 品牌推出的 DFN5×6 封装 N 沟道 MOSFET,额定 30V/85A,典型 Rds (on) 低至 4.0mΩ,开关速度快、抗 dv/dt 干扰能力强,适配电源适配器、LED 驱动、工控小电源等场景,可直接替代同规格竞品,货源稳定。

    www.kiaic.com/article/detail/6466.html         2026-06-11

  • 替代进口!KNY3403B DFN5×6 MOSFET 30V/85A,成本更低

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    想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境?KNY3403B 30V/85A N 沟道 MOSFET 采用 DFN5×6 封装,性能对标进口型号,典型 RDS (ON)=4.5mΩ,支持 Pin-to-Pin 兼容替代,无需改板即可直接替换;具备低导通损耗、低开关损耗、高抗冲击能力,专为 UPS 不...

    www.kiaic.com/article/detail/6465.html         2026-06-10

  • KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOSFET | DFN3×3 封装参数与选型手册

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    想摆脱进口 MOSFET 交期不稳定、成本高昂的困境?KNG3080B 30V/80A N 沟道 MOSFET 采用 DFN3×3 封装,性能对标进口型号,典型 RDS (ON)=4.1mΩ,支持 Pin-to-Pin 兼容替代,无需改板即可直接替换;具备低导通损耗、低开关损耗、高抗冲击能力,专为快充、电...

    www.kiaic.com/article/detail/6464.html         2026-06-10

  • KNY3080B 30V 80A MOSFET DFN5×6 低 Rds (ON) 同步整流专用

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    KNY3080B 是一款专为高功率密度电源设计的 30V/80A N 沟道沟槽 MOSFET,采用 DFN5×6 封装,典型 Rds (ON)=4.1mΩ@VGS=10V,总栅极电荷仅 32nC,具备优异的抗 dv/dt 性能,广泛应用于快充同步整流、电池管理系统、不间断电源(UPS),是工程师解决电源效率...

    www.kiaic.com/article/detail/6460.html         2026-06-10

  • KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管

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    KNY3080A 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流管4.2mΩ 低内阻 超薄封装 高效率KNY3080A、KNY3080A MOSFET、30V 80A MOSFET、DFN5*6 MOSFET、N沟道MOSFETKNY3080A(3080A)80A 30V N沟道MOSFET规格参数表* { box-sizing: bo

    www.kiaic.com/article/detail/6459.html         2026-06-09

  • KNB3403C 30V 80A MOSFET TO-263 大功率管

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    还在为大功率电源发热大、温升超标、效率低发愁?KNB3403C 采用先进沟槽工艺,TO-263 大散热封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,散热性能优异,轻松解决高功率电路损耗高、烧管风险问题。适配快充、BMS、工控电源,兼容 AO3403...

    www.kiaic.com/article/detail/6458.html         2026-06-09

  • KND3403C 30V N 沟道 MOSFET 替代 AO3403

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    还在为大功率电源发热大、散热差、效率低发愁?KND3403C 采用先进沟槽工艺,TO-252 封装实现 4.5mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,散热性能优异,轻松解决高功率电路损耗高、温升超标问题。适配快充、BMS、工控电源,兼容 AO3403/AON3403...

    www.kiaic.com/article/detail/6457.html         2026-06-09

  • KNY3403C 30V 80A MOSFET DFN5*6 大电流专用

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    还在为大电流电源发热大、散热差、效率低发愁?KNY3403C 采用先进沟槽工艺,DFN5*6 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,散热性能优异,轻松解决高功率电路损耗高、温升超标问题。适配快充、BMS、工控电源,兼容 AO3403/AON3403...

    www.kiaic.com/article/detail/6456.html         2026-06-08

  • KNG3403C 30V 80A MOSFET 快充同步整流专用

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    还在为快充电源发热大、效率低发愁?KNG3403C 采用先进沟槽工艺,DFN3*3 封装实现 4.3mΩ 超低 Rds (on),80A 大电流、±20V 宽驱动余量,轻松解决同步整流损耗高、温度超标问题。适配 AC/DC 快充、BMS、UPS,兼容 AO3403/AON3403,量产级稳定性,降低售后...

    www.kiaic.com/article/detail/6455.html         2026-06-08

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